![图片[1]-ATR2057 芯片管脚分布(高精度低噪声放大器LNA)](https://www.wintec-semi.cn/wp-content/uploads/2023/10/image-12.png)
![图片[2]-ATR2057 芯片管脚分布(高精度低噪声放大器LNA)](https://www.wintec-semi.cn/wp-content/uploads/2023/10/image-13.png)
芯片主要特征:
超宽工作带宽:1.5GHz-5.5GHz
工作频段内超低噪声系数,0.6dB @3.5GHz,0.8dB@5GHz
高增益,高稳定性
增益大于 20dB 的频率范围为 1GHz-4.6GHz
增益平坦度小于 2dB 的频率范围为 2.6GHz-4.6GHz
高 OIP3,+33dBm@3.5GHz,+32dBm@5GHz
芯片工作电流从 30mA 到 100mA 可调,典型工作电流 75mA
芯片采用单电源供电,集成使能控制电路
宽的工作电压:3V-5V
内部集成温度和工艺稳定的有源偏置
采用 DFN2×2mm 封装
主要应用方向:
LTE,GSM,WCDMA,HSDPA 等宏基站和微基站
应用于 L 和 S 波段的超低噪声接收机
蜂窝中转站,DHS 和 RRH 等终端设备
TDD 和 FDD 系统
环境温度会高达 105 度的收发机
![图片[3]-ATR2057 芯片管脚分布(高精度低噪声放大器LNA)](https://www.wintec-semi.cn/wp-content/uploads/2023/10/image-14.png)
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